ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
VP2110K1-G
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
VP2110K1-G-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
P-Channel 100 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
ສິນຄ້າ:
12199 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12818423
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
VP2110K1-G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
P-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
120mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
360mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-236AB (SOT23)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
VP2110
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ການອອກແບບ / ລາຍລະອຽດ PCN
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
VP2110K1-G-DG
VP2110K1-GCT
VP2110K1-GTR
VP2110K1-GDKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRFR7546PBF
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
IRL1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IRFB4127PBF
MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB