ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TN5335K1-G
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TN5335K1-G-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 350 V 110mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
ສິນຄ້າ:
4112 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12810184
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TN5335K1-G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
350 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
110mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
110 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
360mW (Ta)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-23 (TO-236AB)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TN5335
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
PCN Assembly/Origin
ການອອກແບບ / ລາຍລະອຽດ PCN
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
3,000
ຊື່ ອື່ນໆ
TN5335K1-GTR
TN5335K1-GCT
TN5335K1-GDKR
TN5335K1-G-DG
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
IRF100P219XKMA1
MOSFET N-CH 100V TO247AC
TN0106N3-G-P013
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3