ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
TN0106N3-G-P003
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
TN0106N3-G-P003-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
ສິນຄ້າ:
943 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12809114
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
TN0106N3-G-P003 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Tape & Reel (TR)
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
350mA (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 500µA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-92-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
TN0106
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
2,000
ຊື່ ອື່ນໆ
150-TN0106N3-G-P003CT
TN0106N3-G-P003-DG
150-TN0106N3-G-P003DKR-DG
150-TN0106N3-G-P003DKRINACTIVE
150-TN0106N3-G-P003TR
150-TN0106N3-G-P003DKR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRF6613TR1PBF
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
IPB80N06S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
SPD07N60S5T
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
