JANTXV2N3767P
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

JANTXV2N3767P

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

JANTXV2N3767P-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER BJT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 25 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)

ສິນຄ້າ:

13001184
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

JANTXV2N3767P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 100mA, 1A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 500mA, 5V
ພະລັງ - Max
25 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 200°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-213AA, TO-66-2
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-66 (TO-213AA)

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
150-JANTXV2N3767P

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
nexperia

BC817-16QC-QZ

SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK

rohm-semi

2SAR513RHZGTL

PNP, SOT-346T, -50V -1A, MIDDLE

central-semiconductor

2N4900

TRANSISTOR

central-semiconductor

2N6318

TRANSISTOR