ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
JANS2N3506AL
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
JANS2N3506AL-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
POWER BJT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 1 W Through Hole TO-5AA
ສິນຄ້າ:
12979393
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
JANS2N3506AL ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 1V
ພະລັງ - Max
1 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 200°C (TJ)
ເກຣດ
Military
ຄຸນສົມບັດ
MIL-PRF-19500/349
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-5AA
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
150-JANS2N3506AL
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
BCP5416QTA
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
JANSD2N3498
RH SMALL-SIGNAL BJT
BC856AQ-7-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
