ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
JANS2N3439L
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
JANS2N3439L-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
POWER BJT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Through Hole TO-5AA
ສິນຄ້າ:
12981988
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
JANS2N3439L ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
ພະລັງ - Max
800 mW
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 200°C
ເກຣດ
Military
ຄຸນສົມບັດ
MIL-PRF-19500/368
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-5AA
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
150-JANS2N3439L
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
