ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
JAN2N3739
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
JAN2N3739-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
NPN TRANSISTOR
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 1 A 20 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
ສິນຄ້າ:
13262519
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
JAN2N3739 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
Military, MIL-PRF-19500/402
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 25mA, 250mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 250mA, 10V
ພະລັງ - Max
20 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 200°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-213AA, TO-66-2
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-66 (TO-213AA)
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
