JAN2N3637L
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

JAN2N3637L

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

JAN2N3637L-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

TRANS PNP 175V 1A TO5
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 175 V 1 A 1 W Through Hole TO-5AA

ສິນຄ້າ:

12925295
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

JAN2N3637L ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
PNP
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
ພະລັງ - Max
1 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 200°C (TJ)
ເກຣດ
Military
ຄຸນສົມບັດ
MIL-PRF-19500/357
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-5AA
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2N3637

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
1086-20892-MIL
1086-20892

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
nte-electronics

MPSA64

TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92

nte-electronics

NTE2361

TRANS NPN 50V 0.5A TO92S

microchip-technology

JANTX2N6212

TRANS PNP 300V 2A TO66

microchip-technology

JANTX2N6286

TRANS PNP DARL 80V 20A TO204AA