APT7M120B
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

APT7M120B

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

APT7M120B-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 8A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
13254190
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

APT7M120B ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2565 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
335W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247 [B]
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
APT7M120

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
APT7M120(B,S) High-Voltage Power Discretes and Modules

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
APT7M120BMI
APT7M120BMI-ND

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFH6N120P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
282
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFH6N120P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
6.03
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
microchip-technology

APTM20DAM08TG

MOSFET N-CH 200V 208A SP4

microchip-technology

APT18M80B

MOSFET N-CH 800V 19A TO247

microchip-technology

APT84F50L

MOSFET N-CH 500V 84A TO264

microchip-technology

APT26M100JCU2

MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227