APT7F100B
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

APT7F100B

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

APT7F100B-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 1000V 7A TO247
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1000 V 7A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

ສິນຄ້າ:

13250287
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

APT7F100B ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 500µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
290W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247 [B]
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
APT7F100

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
APT7F100BMI
APT7F100BMI-ND

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFH6N120P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
282
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFH6N120P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
6.03
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFH6N120
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
290
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFH6N120-DG
ລາຄາຕໍານອນ
6.72
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STW7N105K5
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
554
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STW7N105K5-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.44
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
microchip-technology

APT6015LVFRG

MOSFET N-CH 600V 38A TO264

microsemi

2N6790

MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39

microsemi

2N6796U

MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC

microsemi

2N7224U

MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB