ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
APT66F60B2
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
APT66F60B2-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
ສິນຄ້າ:
13260117
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
APT66F60B2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
POWER MOS 8™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13190 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1135W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
T-MAX™ [B2]
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3 Variant
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
APT66F60
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
R6046FNZ1C9
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
278
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
R6046FNZ1C9-DG
ລາຄາຕໍານອນ
7.52
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPW60R075CPFKSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
240
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPW60R075CPFKSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
6.48
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCH104N60F-F085
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
86
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCH104N60F-F085-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.01
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
APT5010JLLU3
MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
APT1003RSLLG
MOSFET N-CH 1000V 4A D3PAK
APT60M60JLL
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP