APT58M80J
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

APT58M80J

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

APT58M80J-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 800 V 60A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227

ສິນຄ້າ:

2 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
13248223
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

APT58M80J ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
17550 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
960W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Chassis Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-227
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-227-4, miniBLOC
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
APT58M80

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
10
ຊື່ ອື່ນໆ
APT58M80JMI-ND
APT58M80JMI

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFN62N80Q3
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
8
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFN62N80Q3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
44.05
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFN48N60P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
20
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFN48N60P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
18.51
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
microchip-technology

APT50M65B2FLLG

MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

microsemi

APT6040BNG

MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

microchip-technology

APT12057B2LLG

MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

microchip-technology

APT10035LLLG

MOSFET N-CH 1000V 28A TO264