APT58M50J
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

APT58M50J

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

APT58M50J-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 500 V 58A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

ສິນຄ້າ:

13260578
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

APT58M50J ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
POWER MOS 8™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
340 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13500 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
540W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Chassis Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
ISOTOP®
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-227-4, miniBLOC
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
APT58M50

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
10

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFN100N50P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
85
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFN100N50P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
34.48
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFN80N50Q3
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
10
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFN80N50Q3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
38.11
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFN100N50Q3
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
9
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFN100N50Q3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
44.05
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
microsemi

APT11F80S

MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

microchip-technology

APT5010LLLG

MOSFET N-CH 500V 46A TO264

microsemi

APT4012BVRG

MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

microsemi

APT80SM120J

SICFET N-CH 1200V 51A SOT227