ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
APT4M120K
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
APT4M120K-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1200 V 5A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
ສິນຄ້າ:
13260991
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
APT4M120K ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1385 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
225W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220 [K]
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
APT4M120KMI
APT4M120KMI-ND
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFP3N120
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5212
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFP3N120-DG
ລາຄາຕໍານອນ
4.03
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFP6N120P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
171
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFP6N120P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
5.19
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRF610LPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRF610LPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.72
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTP3N120
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTP3N120-DG
ລາຄາຕໍານອນ
4.06
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
APT5010JFLL
MOSFET N-CH 500V 41A ISOTOP
APT44F80B2
MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX
APTC90DAM60T1G
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
