APT31M100B2
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

APT31M100B2

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

APT31M100B2-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
13250007
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

APT31M100B2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
POWER MOS 8™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8500 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1040W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
T-MAX™ [B2]
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3 Variant
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
APT31M100

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
APT31M100(B2,L) High-Voltage Power Discretes and Modules

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STW22N95K5
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
590
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STW22N95K5-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.77
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
microsemi

APT17N80SC3G

MOSFET N-CH 800V 17A D3PAK

microsemi

2N6901

MOSFET N-CH 100V 1.69A TO39

microchip-technology

APT26F120B2

MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

microchip-technology

APT43M60B2

MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX