2N7000-G

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2N7000-G

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2N7000-G-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

ສິນຄ້າ:

2790 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12788557

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

2N7000-G ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Microchip Technology

ບັນທຶກ

Bag

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

200mA (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

60 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

1W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-92-3

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

2N7000

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1,000

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

texas-instruments

CSD17483F4

MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

texas-instruments

CSD22204W

MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA

texas-instruments

CSD19537Q3

MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON

texas-instruments

CSD17578Q3A

MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON