ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2N6511

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2N6511-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER BJT

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 7 A 120 W Through Hole TO-204AD (TO-3)

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

13000767

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

2N6511 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ

ຜູ້ຜະລິດ

Microchip Technology

ບັນທຶກ

Bulk

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ Transistor

PNP

ກະແສ - Collector (Ic) (Max)

7 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

250 V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 800µA, 4mA

ກະແສ - Collector Cutoff (Max)

-

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

ພະລັງ - Max

120 W

Frequency - ການປ່ຽນແປງ

-

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-65°C ~ 200°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-204AA, TO-3

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-204AD (TO-3)

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1

ຊື່ ອື່ນໆ

150-2N6511

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

diodes

BCV47QTA

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23

taiwan-semiconductor

BC857C

SOT-23, -50V, -0.1A, PNP BIPOLAR

mdd

BC848A

TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

microchip-technology

JANS2N3507L

POWER BJT