ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2N6301E3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2N6301E3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
TRANS NPN DARL 80V 500UA TO66
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 500 µA 75 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
ສິນຄ້າ:
13255717
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2N6301E3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN - Darlington
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
500 µA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 80mA, 8A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 4A, 3V
ພະລັງ - Max
75 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 200°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-213AA, TO-66-2
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-66 (TO-213AA)
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
