2N6211P
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2N6211P

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2N6211P-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER BJT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 225 V 2 A 3 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)

ສິນຄ້າ:

12979613
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

2N6211P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
PNP
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
225 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.4V @ 125mA, 1A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 1A, 5V
ພະລັງ - Max
3 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 200°C
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-213AA, TO-66-2
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-66 (TO-213AA)

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
150-2N6211P

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
microchip-technology

2N6514

POWER BJT

microchip-technology

JANSL2N2369A

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2C6438

POWER BJT

microchip-technology

JANSP2N2906AUB

RH SMALL-SIGNAL BJT