ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2N6211P

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2N6211P-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER BJT

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

Bipolar (BJT) Transistor PNP 225 V 2 A 3 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12979613

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

2N6211P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ

ຜູ້ຜະລິດ

Microchip Technology

ບັນທຶກ

Bulk

ຊຸດ

-

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ Transistor

PNP

ກະແສ - Collector (Ic) (Max)

2 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

225 V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 125mA, 1A

ກະແສ - Collector Cutoff (Max)

5mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 1A, 5V

ພະລັງ - Max

3 W

Frequency - ການປ່ຽນແປງ

-

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 200°C

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-213AA, TO-66-2

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-66 (TO-213AA)

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

1

ຊື່ ອື່ນໆ

150-2N6211P

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

2N6514

POWER BJT

microchip-technology

JANSL2N2369A

RH SMALL-SIGNAL BJT

2C6438

POWER BJT

microchip-technology

JANSP2N2906AUB

RH SMALL-SIGNAL BJT