2N5682E4
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2N5682E4

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2N5682E4-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER BJT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 1 A 1 W Through Hole TO-39 (TO-205AD)

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12987037
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

2N5682E4 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 250mA, 2V
ພະລັງ - Max
1 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 200°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-39 (TO-205AD)

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
150-2N5682E4

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
diodes

BSR43QTA

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T&

nexperia

BC846BQBZ

SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK

microchip-technology

JANSR2N5151L

RH POWER BJT

microchip-technology

2C3420-MSCL

POWER BJT