ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2N3879A
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2N3879A-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
POWER BJT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 75 V 7 A 35 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
ສິນຄ້າ:
12980782
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2N3879A ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
75 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 400mA, 4A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
25mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 5V
ພະລັງ - Max
35 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 200°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-213AA, TO-66-2
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-66 (TO-213AA)
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
150-2N3879A
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
