ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2N3506A
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2N3506A-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 1 W Through Hole TO-39
ສິນຄ້າ:
13255604
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2N3506A ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 1V
ພະລັງ - Max
1 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 200°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-39
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2N3506
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
2N3762
TRANS PNP 40V 1.5A TO39
JANTX2N1717S
TRANS NPN 100V 0.75A TO39
JANS2N2904AL
TRANS PNP 60V 1UA TO5
