ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
2N1711S
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Microchip Technology
ເລະທີ່ສ່ວນ:
2N1711S-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
NPN TRANSISTOR
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-39
ສິນຄ້າ:
13246632
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
2N1711S ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
NPN
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 15mA, 150mA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
ພະລັງ - Max
800 mW
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-65°C ~ 200°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-39
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
2N1711
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
RoHS non-compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
JAN2N6676T1
TRANS NPN 300V 15A TO254
JANTXV2N5682
TRANS NPN 120V 1A TO39
JANTX2N3440U4
TRANS NPN 250V 2UA U4
