2N1506
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

2N1506

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

Microchip Technology

ເລະທີ່ສ່ວນ:

2N1506-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

POWER BJT
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 500 mA 3 W Through Hole TO-5AA

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12986524
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

2N1506 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
Bipolar (BJT), ບິປອລາ ຕຣານຊິສໍເກອນ ດຽວ
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ບັນທຶກ
Bulk
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ Transistor
PNP
ກະແສ - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 50µA, 100µA
ກະແສ - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
ພະລັງ - Max
3 W
Frequency - ການປ່ຽນແປງ
-
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-5AA

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
1
ຊື່ ອື່ນໆ
150-2N1506

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
microchip-technology

JANKCCD2N3498

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANKCCF2N3498

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N3790

POWER BJT

mdd

MMBT3906

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23