ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
MSJP20N65-BP
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
Micro Commercial Co
ເລະທີ່ສ່ວນ:
MSJP20N65-BP-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH TO220AB
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 151W (Tc) Through Hole TO-220AB (H)
ສິນຄ້າ:
12921762
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
MSJP20N65-BP ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Micro Commercial Components (MCC)
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1724 pF @ 100 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
151W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220AB (H)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
MSJP20
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
353-MSJP20N65-BP
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
GC20N65T
ຜູ້ຜະລິດ
Goford Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4000
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
GC20N65T-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.99
ປ່ແທນປະເພດ
Parametric Equivalent
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
DI9430T
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP
SIHG15N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC
SIRA14DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
