ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXTQ82N25P
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXTQ82N25P-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 250V 82A TO3P
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 250 V 82A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P
ສິນຄ້າ:
5 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12821577
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXTQ82N25P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
Polar
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
82A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
142 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
500W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-3P
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-3P-3, SC-65-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXTQ82
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STW52NK25Z
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
444
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STW52NK25Z-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.37
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FDA69N25
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
800
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FDA69N25-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.23
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFP4768PBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2632
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFP4768PBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.59
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXTA200N085T
MOSFET N-CH 85V 200A TO263
IXTK400N15X4
MOSFET N-CH 150V 400A TO264
IXTY5N50P
MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
