ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXTQ200N075T
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXTQ200N075T-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 75V 200A TO3P
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 75 V 200A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-3P
ສິນຄ້າ:
12819774
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXTQ200N075T ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
-
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
430W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-3P
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-3P-3, SC-65-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXTQ200
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFP3077PBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
1151
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFP3077PBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.76
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTQ200N10T
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
14
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTQ200N10T-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.56
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXTX5N250
MOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247-3
IXTY08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
IXFH26N50
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
