ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXTQ16N50P
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXTQ16N50P-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
ສິນຄ້າ:
13 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່
12823608
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXTQ16N50P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
Polar
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2250 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-3P
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-3P-3, SC-65-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXTQ16
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
2SK1317-E
ຜູ້ຜະລິດ
Renesas Electronics Corporation
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5608
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
2SK1317-E-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.29
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STW20NK50Z
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
728
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STW20NK50Z-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.02
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STW14NK50Z
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
66
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STW14NK50Z-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.95
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IRLR3802TRPBF
MOSFET N-CH 12V 84A DPAK
IXFE55N50
MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
IRF6100
MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET