IXTP1R6N50D2
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXTP1R6N50D2

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXTP1R6N50D2-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 500 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ
12819979
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IXTP1R6N50D2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
Depletion
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23.7 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
645 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
Depletion Mode
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
100W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-220-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-220-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXTP1

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
IXT(Y,A,P)1R6N50D2
ບັນທຶກ HTML
IXTP1R6N50D2-DG
ໃບບັດຂໍ້ມູນ
IXTP1R6N50D2

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STU4N52K3
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2513
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STU4N52K3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.45
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
littelfuse

IXFH80N06

MOSFET N-CH 60V 80A TO247AD

littelfuse

IXTH130N15X4

MOSFET N-CH 150V 130A TO247

littelfuse

IXTA36P15P

MOSFET P-CH 150V 36A TO263

littelfuse

IXTU05N120

MOSFET N-CH 1200V 500MA TO251