IXTP1R6N100D2

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXTP1R6N100D2

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXTP1R6N100D2-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12820748

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IXTP1R6N100D2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Littelfuse

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

Depletion

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

1.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 800mA, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

645 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

Depletion Mode

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

100W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220-3

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IXTP1

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

IXT(Y,A,P)1R6N100D2

ບັນທຶກ HTML

IXTP1R6N100D2-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

littelfuse

IXTP110N12T2

MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB

littelfuse

IXFB70N100X

MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264

littelfuse

IXFK36N60P

MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA

littelfuse

IXTY12N06TTRL

MOSFET N-CH 60V 12A TO252