IXTH2R4N120P

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXTH2R4N120P

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXTH2R4N120P-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO247

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 1200 V 2.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12821462

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IXTH2R4N120P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Littelfuse

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

Polar

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

2.4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1207 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

125W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-247 (IXTH)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-247-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IXTH2

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML

IXTH2R4N120P-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ໃບຂໍ້ມູນ

IXT(A,H,P)2R4N120P Building, Home Automation Appl Guide

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

30

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

IXTM5N100A

MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AA

littelfuse

IXFJ40N30Q

MOSFET N-CHANNEL 300V 40A TO268

littelfuse

IXTA180N085T

MOSFET N-CH 85V 180A TO263

littelfuse

IXFN100N10S3

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B