IXTH200N10T

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXTH200N10T

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXTH200N10T-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 100V 200A TO247

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 100 V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

ສິນຄ້າ:

19 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12820864

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IXTH200N10T ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Littelfuse

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

Trench

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

200A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

152 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

9400 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

550W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 175°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-247 (IXTH)

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-247-3

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IXTH200

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

IXT(H,Q)200N10T

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

30

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ

IRFP4310ZPBF

ຜູ້ຜະລິດ

Infineon Technologies

ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ

1902

DiGi ບໍ່ຈໍານວນ

IRFP4310ZPBF-DG

ລາຄາຕໍານອນ

2.10

ປ່ແທນປະເພດ

Similar

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

littelfuse

IXFB62N80Q3

MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264

littelfuse

IXTA27N20T

MOSFET N-CH 20V 27A TO263

littelfuse

IXTN32P60P

MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B

littelfuse

IXTH6N150

MOSFET N-CH 1500V 6A TO247