ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXTA6N100D2HV
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXTA6N100D2HV-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1000 V 6A (Tj) 300W (Tc) Surface Mount TO-263HV
ສິນຄ້າ:
13270606
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXTA6N100D2HV ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
Depletion
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
6A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2650 pF @ 10 V
ລັກສະນະ FET
Depletion Mode
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263HV
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXTA6
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ໃບຂໍ້ມູນ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ຊື່ ອື່ນໆ
238-IXTA6N100D2HV
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXTY1R4N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
IXTA08N100D2HV-TRL
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
IXTA08N100D2-TRL
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263