ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXTA50N25T
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXTA50N25T-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 250V 50A TO263
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 250 V 50A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-263AA
ສິນຄ້າ:
12820611
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXTA50N25T ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
Trench
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
400W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263AA
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXTA50
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPB600N25N3GATMA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
4968
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPB600N25N3GATMA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.32
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
RCJ510N25TL
ຜູ້ຜະລິດ
Rohm Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5032
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
RCJ510N25TL-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.20
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFS4229TRLPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
2694
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFS4229TRLPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.08
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXFH88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO247AD
IXTR36P15P
MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247
IXTH96P085T
MOSFET P-CH 85V 96A TO247
