ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXTA4N60P
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXTA4N60P-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 4A TO263
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-263AA
ສິນຄ້າ:
12820769
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXTA4N60P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
PolarHV™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 100µA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
635 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
89W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Surface Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-263AA
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXTA4
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
50
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXTA4N65X2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
35
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXTA4N65X2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.18
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STD4N62K3
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
5433
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STD4N62K3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
0.73
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFBC30ASTRLPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Vishay Siliconix
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
579
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFBC30ASTRLPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.26
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXFR16N120P
MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247
IXFP90N20X3M
MOSFET N-CH 200V 90A TO220
IXTT02N450HV
MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
