IXTA1R6N50D2

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXTA1R6N50D2

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXTA1R6N50D2-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 500 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263AA

ສິນຄ້າ:

180 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12821061

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IXTA1R6N50D2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Littelfuse

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

Depletion

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

1.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3Ohm @ 800mA, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.7 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

645 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

Depletion Mode

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

100W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-263AA

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IXTA1

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

IXT(Y,A,P)1R6N50D2

ບັນທຶກ HTML

IXTA1R6N50D2-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

littelfuse

IXTH12N100Q

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

littelfuse

IXTP4N60P

MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB

littelfuse

IXFP30N60X

MOSFET N-CH 600V 30A TO220

littelfuse

IXTP182N055T

MOSFET N-CH 55V 182A TO220AB