IXTA1N200P3HV

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXTA1N200P3HV

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXTA1N200P3HV-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 2000V 1A TO263

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA

ສິນຄ້າ:

1165 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12819748

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IXTA1N200P3HV ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Littelfuse

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

Polar P3™

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

2000 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

1A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

646 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

125W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-263AA

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IXTA1

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

IXTx1N200P3(HV)

ບັນທຶກ HTML

IXTA1N200P3HV-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

littelfuse

IXTQ50N25T

MOSFET N-CH 250V 50A TO3P

littelfuse

IXTT500N04T2

MOSFET N-CH 40V 500A TO268

littelfuse

IXFH12N90P

MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD

littelfuse

IXTA130N065T2

MOSFET N-CH 65V 130A TO263