IXTA08N100D2

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXTA08N100D2

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXTA08N100D2-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-263AA

ສິນຄ້າ:

6800 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12905635

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IXTA08N100D2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Littelfuse

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

Depletion

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

800mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21Ohm @ 400mA, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.6 nC @ 5 V

Vgs (Max)

±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

325 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

Depletion Mode

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

60W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Surface Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-263AA

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IXTA08

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

IXT(Y,A,P)08N100D2

ບັນທຶກ HTML

IXTA08N100D2-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

IXTY02N50D-TRL

MOSFET N-CH

diodes

ZVN4424ZTA

MOSFET N-CH 240V 300MA SOT89-3

vishay-siliconix

2N7002-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 115MA TO236

vishay-siliconix

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP