ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFX210N17T
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFX210N17T-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 170 V 210A (Tc) 1150W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
ສິນຄ້າ:
12821818
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFX210N17T ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
GigaMOS™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
170 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
210A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
285 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
18800 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1150W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 175°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
PLUS247™-3
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3 Variant
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFX210
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFX220N17T2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFX220N17T2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
9.39
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFK220N17T2
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
446
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFK220N17T2-DG
ລາຄາຕໍານອນ
8.22
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXTY26P10T
MOSFET P-CH 100V 26A TO252
IXFP8N50PM
MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB
IXTR140P10T
MOSFET P-CH 100V 110A ISOPLUS247
