IXFV12N120P

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXFV12N120P

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXFV12N120P-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 1200 V 12A (Tc) 543W (Tc) Through Hole PLUS220

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12821009

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IXFV12N120P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Littelfuse

ບັນທຶກ

-

ຊຸດ

HiPerFET™, PolarP2™

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Obsolete

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.35Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

103 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5400 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

543W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

PLUS220

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3, Short Tab

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IXFV12

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

IXF(H,V)12N120P/S

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ

APT13F120B

ຜູ້ຜະລິດ

Microchip Technology

ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ

30

DiGi ບໍ່ຈໍານວນ

APT13F120B-DG

ລາຄາຕໍານອນ

7.92

ປ່ແທນປະເພດ

Similar

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

littelfuse

IXTY1N100P

MOSFET N-CH 1000V 1A TO252

IXFD15N100-8X

MOSFET N-CH

littelfuse

IXTP90N075T2

MOSFET N-CH 75V 90A TO220AB

littelfuse

IXFH80N08

MOSFET N-CH 80V 80A TO247AD