ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFQ50N60P3
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFQ50N60P3-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-3P
ສິນຄ້າ:
12821337
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFQ50N60P3 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
HiPerFET™, Polar3™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6300 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
1040W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-3P
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-3P-3, SC-65-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFQ50
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
FCA22N60N
ຜູ້ຜະລິດ
Fairchild Semiconductor
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
545
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
FCA22N60N-DG
ລາຄາຕໍານອນ
4.38
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IPW60R099CPAFKSA1
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
196
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IPW60R099CPAFKSA1-DG
ລາຄາຕໍານອນ
4.16
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXTY48P05T
MOSFET P-CH 50V 48A TO252
IXFH86N30T
MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD
IXFK180N25T
MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
