IXFP12N65X2M

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXFP12N65X2M

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXFP12N65X2M-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 650V 12A TO220

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

ສິນຄ້າ:

295 ສິນຄ້າໃໝ່ແວ່ນດຽວສົມບູນໃນສະຖານທີ່

12911708

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IXFP12N65X2M ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Littelfuse

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

HiPerFET™, Ultra X2

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

310mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.5 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1134 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

40W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Through Hole

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

TO-220 Isolated Tab

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IXFP12

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ບັນທຶກ HTML

IXFP12N65X2M-DG

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ໃບຂໍ້ມູນ

IXFP12N65X2M Datasheet Building, Home Automation Appl Guide

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

50

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

vishay-siliconix

SI7852ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7820DN-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8

vishay-siliconix

IRL620PBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB

IRFPS38N60L

MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247