IXFN60N80P

ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXFN60N80P

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXFN60N80P-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B

ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:

N-Channel 800 V 53A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

ສິນຄ້າ:

RFQ ອອນໍານາ

12820902

ຂໍບິດລາຄາ

ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1

(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ

ສົ່ງ

IXFN60N80P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່

FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs

ຜູ້ຜະລິດ

Littelfuse

ບັນທຶກ

Tube

ຊຸດ

HiPerFET™, Polar

ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ

Active

ປະເພດ FET

N-Channel

ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800 V

ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C

53A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

18000 pF @ 25 V

ລັກສະນະ FET

-

ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)

1040W (Tc)

ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ

-55°C ~ 150°C (TJ)

ປະເພດການຕິດຕັ້ງ

Chassis Mount

ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ

SOT-227B

ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ

SOT-227-4, miniBLOC

ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ

IXFN60

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ

ບັນທຶກ HTML

ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ

10

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS

ROHS3 Compliant

ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)

1 (Unlimited)

ສະຖານະພາບ REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ

APT53F80J

ຜູ້ຜະລິດ

Microchip Technology

ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ

89

DiGi ບໍ່ຈໍານວນ

APT53F80J-DG

ລາຄາຕໍານອນ

52.75

ປ່ແທນປະເພດ

Similar

ການສະແດງດິຈິທັນ

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ

littelfuse

IXTA8N65X2

MOSFET N-CH 650V 8A TO263

littelfuse

IXFH42N50P2

MOSFET N-CH 500V 42A TO247AD

littelfuse

IXTP7N60P

MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB

littelfuse

IXTH62N65X2

MOSFET N-CH 650V 62A TO247