ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFN38N100Q2
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFN38N100Q2-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1000 V 38A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
ສິນຄ້າ:
12821677
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFN38N100Q2 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
HiPerFET™, Q2 Class
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
38A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7200 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
890W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Chassis Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-227B
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-227-4, miniBLOC
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFN38
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
10
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
APT10025JVR
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
9
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
APT10025JVR-DG
ລາຄາຕໍານອນ
65.31
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
APT41F100J
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
72
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
APT41F100J-DG
ລາຄາຕໍານອນ
49.87
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXTA42N25P
MOSFET N-CH 250V 42A TO263
IXFN48N60P
MOSFET N-CH 600V 40A SOT227B
IXFX32N80P
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
