ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFN130N30
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFN130N30-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 300 V 130A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
ສິນຄ້າ:
12821233
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFN130N30 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
HiPerFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
130A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14500 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
700W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Chassis Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-227B
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-227-4, miniBLOC
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFN130
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
10
ຊື່ ອື່ນໆ
IXFN130N30-NDR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFN170N30P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
86
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFN170N30P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
34.80
ປ່ແທນປະເພດ
Direct
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
APT30M19JVFR
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
APT30M19JVFR-DG
ລາຄາຕໍານອນ
79.43
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXFN300N10P
MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
IXTA180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO263
IXTQ280N055T
MOSFET N-CH 55V 280A TO3P
