ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFN106N20
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFN106N20-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 106A (Tc) 521W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
ສິນຄ້າ:
12820265
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFN106N20 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
HiPerFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Not For New Designs
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
106A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9000 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
521W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Chassis Mount
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
SOT-227B
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
SOT-227-4, miniBLOC
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFN106
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
10
ຊື່ ອື່ນໆ
460915
IXFN106N20-NDR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
APT20M20JFLL
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
APT20M20JFLL-DG
ລາຄາຕໍານອນ
40.52
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFN140N20P
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFN140N20P-DG
ລາຄາຕໍານອນ
16.97
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFN140N25T
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
0
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFN140N25T-DG
ລາຄາຕໍານອນ
24.04
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXFK50N85X
MOSFET N-CH 850V 50A TO264
IXTH3N150
MOSFET N-CH 1500V 3A TO247
IXTA380N036T4-7
MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
