IXFH8N80
ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:

IXFH8N80

Product Overview

ຜູ້ຜະລິດ:

IXYS

ເລະທີ່ສ່ວນ:

IXFH8N80-DG

ຄໍາອະທິບາຍ:

MOSFET N-CH 800V 8A TO247AD
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

ສິນຄ້າ:

12913928
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ

IXFH8N80 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ

ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HiPerFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
180W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247AD (IXFH)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFH8

ໃບບັດແລະເອກະສານ

ໃບຂໍ້ມູນ
ບັນທຶກ HTML
ໃບບັດຂໍ້ມູນ

ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ

ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30

ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ

ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

ແບບທີ່ແລກແລືອກ

ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STW10NK80Z
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
39
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STW10NK80Z-DG
ລາຄາຕໍານອນ
2.27
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
vishay-siliconix

IRFR420APBF

MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK

vishay-siliconix

IRFIBC20GPBF

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3

vishay-siliconix

SI3441BDV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP

vishay-siliconix

SI8405DB-T1-E1

MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT