ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFH67N10Q
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFH67N10Q-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 100V 67A TO247AD
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 100 V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
ສິນຄ້າ:
12819869
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFH67N10Q ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HiPerFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Obsolete
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247AD (IXFH)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFH67
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
HUF75639G3
ຜູ້ຜະລິດ
onsemi
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
415
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
HUF75639G3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.49
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXFB210N20P
MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
IXFB100N50P
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
IXTX60N50L2
MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247-3
