ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFH58N20
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFH58N20-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 200V 58A TO247AD
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 200 V 58A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
ສິນຄ້າ:
12821703
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFH58N20 ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
-
ຊຸດ
HiPerFET™
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4400 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
300W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247AD (IXFH)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFH58
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ຊື່ ອື່ນໆ
IXFH58N20-NDR
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
Not Applicable
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFP260MPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
8078
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFP260MPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.17
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IRFP260NPBF
ຜູ້ຜະລິດ
Infineon Technologies
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
12055
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IRFP260NPBF-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.72
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
IXFH90N20X3
ຜູ້ຜະລິດ
IXYS
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
10
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
IXFH90N20X3-DG
ລາຄາຕໍານອນ
4.48
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXFP10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
IXTN170P10P
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
IXTP170N075T2
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
