ເບິ່ງຕົວເລກສິນຄ້າຜະລິດຕະກູນ:
IXFH12N100P
Product Overview
ຜູ້ຜະລິດ:
IXYS
ເລະທີ່ສ່ວນ:
IXFH12N100P-DG
ຄໍາອະທິບາຍ:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ:
N-Channel 1000 V 12A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
ສິນຄ້າ:
12819222
ຂໍບິດລາຄາ
ປ່ອນຈຳນວນ
ขั้นต่ำ 1
ขั้นต่ำ 1
(*) ຄືກົດໝາຍ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ພວກເຮົາຈະກັບເພີ່ມໃຫ້ທ່ານກັບໃນເວລາ 24 ຊົ່ວໂມງ
ສົ່ງ
IXFH12N100P ຂະບວນການບອກຂໍແລະຄວາມເປັນຄວາມແນ່ນອນ
ໝວດໝູ່
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
ຜູ້ຜະລິດ
Littelfuse
ບັນທຶກ
Tube
ຊຸດ
HiPerFET™, Polar
ສະຖານະພາບຜະລິດຕະພັນ
Active
ປະເພດ FET
N-Channel
ເທັກ ໂນ ໂລ ຈີ
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
ກະແສ - ລະບາຍນ້ໍາຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
ປະຕູ Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4080 pF @ 25 V
ລັກສະນະ FET
-
ການສູນເສຍພະລັງງານ (Max)
463W (Tc)
ອຸນຫະພູມການດໍາເນີນງານ
-55°C ~ 150°C (TJ)
ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
Through Hole
ແພັກເກດອຸປະກອນຜູ້ປະກອ
TO-247AD (IXFH)
ແພັກເກດ / ກະເປົ໋າ
TO-247-3
ເລກຜະລິດຕະພັນພື້ນຖານ
IXFH12
ໃບບັດແລະເອກະສານ
ຂໍໍະແນິນໃຫ່ມກໍາການ
ແພັກເກດມາດຕະຖານ
30
ການແຈ້ງປ່ອນແລະການຈັດປ່ອນສໍາລັດເສດຖະກິດ
ສະຖານະພາບ RoHS
ROHS3 Compliant
ລະດັບຄວາມຮູ້ສຶກຂອງຄວາມຊຸ່ມເຢັນ (MSL)
1 (Unlimited)
ສະຖານະພາບ REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
ແບບທີ່ແລກແລືອກ
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STW6N95K5
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
280
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STW6N95K5-DG
ລາຄາຕໍານອນ
1.17
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
APT14F100B
ຜູ້ຜະລິດ
Microchip Technology
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
8
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
APT14F100B-DG
ລາຄາຕໍານອນ
5.80
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ເນອະໄລະສິນຄ້າ
STW11NK90Z
ຜູ້ຜະລິດ
STMicroelectronics
ຈຳນວນທີ່ມີໃນສາງ
550
DiGi ບໍ່ຈໍານວນ
STW11NK90Z-DG
ລາຄາຕໍານອນ
3.17
ປ່ແທນປະເພດ
Similar
ການສະແດງດິຈິທັນ
ຜະລິດຕະພັນທີ່ໃກ້ຄຽວ
IXFH102N15T
MOSFET N-CH 150V 102A TO247AD
IXFV18N60P
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
IXFH30N50
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
